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TMS320C5410燒寫(xiě)Flash實(shí)現(xiàn)并行自舉引導(dǎo)
摘要：介紹在TMS320C5410環(huán)境下對(duì)Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行程序燒寫(xiě)，并且實(shí)現(xiàn)了TMS320C5410上電后用戶(hù)程序并行自舉引導(dǎo)。Flash是一種可在線(xiàn)進(jìn)行電擦寫(xiě)，掉電后信息不丟失的存儲(chǔ)器。它具有低功耗、大容量、擦寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，并且內(nèi)部嵌入算法完成對(duì)芯片的操作，因而在數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文通過(guò)一個(gè)完整的實(shí)例，介紹Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器的燒寫(xiě)方法，實(shí)現(xiàn)TMS320C5410（以下簡(jiǎn)稱(chēng)C5410）上電后用戶(hù)程序的并行自舉引導(dǎo)。
1 Am29LV200B Flash存儲(chǔ)器
1.1 Flash存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
Am29LV200B是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器，其主要特點(diǎn)有：3 V單電源供電，可使內(nèi)部產(chǎn)生高電壓進(jìn)行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)；只需向其命令寄存器寫(xiě)入標(biāo)準(zhǔn)的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內(nèi)部嵌入的算法實(shí)現(xiàn)，并且可以通過(guò)查詢(xún)特定的引腳或數(shù)據(jù)線(xiàn)監(jiān)控操作是否完成；可以對(duì)任一扇區(qū)進(jìn)行讀、寫(xiě)或擦除操作，而不影響其它部分的數(shù)據(jù)。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數(shù)據(jù)總線(xiàn)16位，用于16位方式的并行引導(dǎo)裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁(yè)進(jìn)行訪問(wèn)，上電加載程序時(shí)使用Flash ROM的第3頁(yè)。
1.2 Flash存儲(chǔ)器的操作命令
向Flash存儲(chǔ)器的特定寄存器寫(xiě)入地址和數(shù)據(jù)命令，就可對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程，但要按一定的順序操作，否則就會(huì)導(dǎo)致Flash存儲(chǔ)器復(fù)位。由于編程指令不能使"0"寫(xiě)為"1"，只能使"1"變?yōu)?0"，而擦除命令可使"0"變?yōu)?1"，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個(gè)常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數(shù)據(jù)命令、復(fù)位命令。
① 編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫(xiě)入數(shù)據(jù)，需要四個(gè)總線(xiàn)周期，前兩個(gè)是解鎖周期，第三個(gè)是建立編程命令，最后一個(gè)周期完成向編程地址中寫(xiě)入編程數(shù)據(jù)，如表1所列。
表1 編程命令
由于向每個(gè)編程地址寫(xiě)入數(shù)據(jù)都需要四個(gè)周期，所以在循環(huán)寫(xiě)Flash時(shí)使用宏比較簡(jiǎn)單。Flash ROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對(duì)應(yīng)物理地址就為0x8555。編程程序如下：
_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫(xiě)命
；令宏，pa是編程地址，pd是編程數(shù)據(jù)
PSHM AR1
STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址
LD pd,A
STL A,*AR1 ;把編程數(shù)據(jù)放入AR1的編程地址中
RPT #12
NOP
POPM AR1
.endm
_WRITEFlash .macro par,pdr ;編程宏,par是編程地址寄存
；器，pdr是存放編程數(shù)據(jù)的寄存器
_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解鎖）
_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解鎖）
_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H ; 周期3（建立）
LD pdr, A ; 周期4（編程）
STL A, par ; 把pdr寄存器中數(shù)據(jù)放入par
；寄存器的地址中
RPT #12
NOP
_JUDGE par, pdr ;檢測(cè)編程是否正確，見(jiàn)Flash
；的操作檢測(cè)
.endm
_WRITECOMMAND是實(shí)現(xiàn)一個(gè)周期編程的寫(xiě)命令宏，而_WRITEFlash是完成對(duì)指定地址編程的四個(gè)完整周期。
表2 擦除命令
② 擦除命令。該命令有片擦除和扇區(qū)擦除兩種，都需要6個(gè)總線(xiàn)周期，前兩個(gè)解鎖周期，第三個(gè)建立周期，四、五兩個(gè)解鎖周期，最后是片擦除或扇區(qū)擦除周期，如表2所列。一旦執(zhí)行編程或擦除命令后，就啟動(dòng)Flash的內(nèi)部編程或擦除算法，自動(dòng)完成編程或擦除操作。擦除程序如下：
_ERASEFlash .macro ;擦除宏
_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期1（解鎖）
_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期2（解鎖）
_WRITECOMMAND #8555H,#080H ; 周期3（建立）
_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH ; 周期4（解鎖）
_WRITECOMMAND #82AAH,#055H ; 周期5（解鎖）
_WRITECOMMAND #8555H,#010H ; 周期6（片擦除）
STM #8555H,AR3
LD #010H ,A
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