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通過(guò)JTAG口對(duì)DSP外部Flash存儲(chǔ)器的在線(xiàn)編程
摘要：采用一種簡(jiǎn)單可行的方法，在TI公司TMS320C6X DSP集成開(kāi)發(fā)環(huán)境CCS2.0下，通過(guò)JTAG口實(shí)現(xiàn)對(duì)DSP外部Flash可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器的在線(xiàn)編程；將用戶(hù)數(shù)據(jù)文件燒寫(xiě)到DSP的外部Flash中，并在TMS320C6711 DSP板上多次測(cè)試通過(guò)。引言
在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）的嵌放式硬件系統(tǒng)開(kāi)發(fā)完成，軟件也有CCS2.0集成開(kāi)發(fā)環(huán)境下仿真測(cè)試通過(guò)后，怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件（.Out），經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件（.Hex）寫(xiě)入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中，讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行，這是許多DSP開(kāi)發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問(wèn)題。
從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例，介紹“在線(xiàn)仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。
1 Flash存儲(chǔ)器的擦除
Flash編程之前，應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除，使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài)，即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線(xiàn)周期，總線(xiàn)時(shí)序如圖1。
從圖1可知，各總線(xiàn)周期的操作為：
第一總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)55H；
第二總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)55H；
第三總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)80H；
第四總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)AAH；
第五總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)55H；
第六總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)10H。
完成上述操作后，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除，內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài)，全為FFH。
在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為：
void erase_flash()
{
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055；
*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010；
}
在TMS320C6711系統(tǒng)中，F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間，其開(kāi)始地址為0x90000000。這樣，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為：
#define FLASH_ADR1 0x90005555
#define FLASH_ADR2 0x90002AAA
需要說(shuō)明的是，在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí)，應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化，CE1空間定義為8位讀寫(xiě)模式。
初始化函數(shù)如下：
void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/
CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/
IER=1； /*禁止除NMI外的所有中斷*/
ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/
*（unsigned volatile int *）EMIF_GCR=0x3300;
*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;
*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;
*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;
}
2 Flash存儲(chǔ)器的編程
對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前，需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作，總線(xiàn)時(shí)序如圖2。
從圖2可知，各總線(xiàn)周期的操作如下：
第一總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)AAH；
第二總線(xiàn)周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)55H；
第三總線(xiàn)周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)A0H；
第四總線(xiàn)周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入編程數(shù)據(jù)；
……
在TMS320C6711中，用C語(yǔ)言完成上述操作為：
/*---------------------------------------------------------------------*/
/*入口參數(shù)：pattern[]：數(shù)組，用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/
*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/
/* page_size：所要編程的Flash的頁(yè)面尺寸*/
/*出口參數(shù)：無(wú)*/
/*---------------------------------------------------------------------*/
void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_siz
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