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博士學(xué)位畢業(yè)論文提綱范文
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博士學(xué)位畢業(yè)論文提綱范文一
摘要 4-6
Abstract 6-7
目錄 8-11
第1章 緒論 11-37
1.1 課題研究背景及意義 11-12
1.2 透明導(dǎo)電薄膜的分類及特性 12-20
1.2.1 單層透明導(dǎo)電薄膜 13-19
1.2.2 疊層透明導(dǎo)電薄膜 19-20
1.3 界面對(duì)疊層透明導(dǎo)電薄膜性能的影響 20-22
1.3.1 界面對(duì)疊層透明導(dǎo)電薄膜穩(wěn)定性的影響 21-22
1.3.2 界面對(duì)疊層透明導(dǎo)電薄膜光電性能的影響 22
1.4 透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用 22-30
1.5 疊層透明導(dǎo)電薄膜的研究現(xiàn)狀 30-34
1.6 本論文的主要工作及創(chuàng)新點(diǎn) 34-37
第2章 新型高性能NiO/Ag/NiO疊層透明導(dǎo)電薄膜的制備及其在有機(jī)太陽能電池上的應(yīng)用 37-65
2.1 引言 37-39
2.2 實(shí)驗(yàn)方法 39-41
2.2.1 NAN疊層透明導(dǎo)電薄膜的制備與性能測(cè)試 39
2.2.2 以NAN和ITO為陽極的太陽能電池的制備方法與性能測(cè)試 39-41
2.3 結(jié)果與討論 41-51
2.3.1 NAN薄膜的光學(xué)性能 41-45
2.3.2 NAN薄膜的電學(xué)性能及其穩(wěn)定性 45-48
2.3.3 NAN薄膜的表面形貌 48-49
2.3.4 NAN薄膜在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用 49-51
2.4 本章小結(jié) 51-52
2.5 引言 52-53
2.6 實(shí)驗(yàn)方法 53-54
2.7 結(jié)果與討論 54-63
2.8 本章小結(jié) 63-65
第3章 疊層透明導(dǎo)電薄膜SnO_x/Ag/SnO_x的制備及其在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用 65-96
3.1 引言 65
3.2 實(shí)驗(yàn)方法 65-67
3.2.1 SAS疊層透明導(dǎo)電薄膜的制備與性能測(cè)試 66
3.2.2 以SAS和ITO為陰極的太陽能電池的制備方法與性能測(cè)試 66-67
3.3 結(jié)果與討論 67-77
3.3.1 SAS薄膜的光學(xué)性能 67-70
3.3.2 SAS薄膜的電學(xué)性能 70-72
3.3.3 SAS薄膜的表面形貌 72-73
3.3.4 SAS薄膜在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用 73-77
3.4 本章小結(jié) 77-78
3.5 引言 78-79
3.6 實(shí)驗(yàn)方法 79-80
3.6.1 Bi_2O_3界面層以及SASB電極的制備過程及測(cè)試方法 79-80
3.6.2 倒置太陽能電池的制備過程 80
3.7 結(jié)果與討論 80-92
3.7.1 Bi_O_3作為陰極界面層在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用 80-82
3.7.2 SASB 薄膜的光電性能 82-84
3.7.3 SASB的表面形貌 84-86
3.7.4 低功函SASB電極在有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用 86-92
3.8 本章小結(jié) 92-93
3.9 總結(jié) 93-94
3.10 展望 94-96
參考文獻(xiàn) 96-111
在學(xué)期間學(xué)術(shù)成果情況 111-112
指導(dǎo)教師及作者簡介 112-113
博士學(xué)位畢業(yè)論文提綱范文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目錄 9-12
第1章 緒論 12-26
1.1 半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 12-21
1.1.1 高功率半導(dǎo)體激光器 12-15
1.1.2 高效率半導(dǎo)體激光器 15
1.1.3 高可靠性半導(dǎo)體激光器 15-16
1.1.4 高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光器 16-18
1.1.5 窄線寬半導(dǎo)體激光器 18-21
1.2 單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 21-23
1.2.1 國外單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 22-23
1.2.2 國內(nèi)單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 23
1.3 本文的研究目的與內(nèi)容 23-26
第2章 高階光柵單縱模半導(dǎo)體激光器理論設(shè)計(jì)與分析 26-46
2.1 半導(dǎo)體激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半導(dǎo)體的輻射躍遷 26-27
2.1.2 半導(dǎo)體激光器的增益與閾值條件 27-29
2.2 半導(dǎo)體激光器的輸出功率與轉(zhuǎn)換效率 29-31
2.2.1 半導(dǎo)體激光器的輸出功率 29-30
2.2.2 半導(dǎo)體激光器的轉(zhuǎn)化效率 30-31
2.3 半導(dǎo)體激光器的縱模與光譜特性 31-32
2.4 高階布拉格光柵波導(dǎo)的理論模型 32-38
2.4.1 分布反饋(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33
2.4.2 散射理論 33-36
2.4.3 傳輸矩陣?yán)碚撃Ｐ?36-38
2.5 高階布拉格光柵波導(dǎo)的光學(xué)特性分析 38-42
2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40
2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42
2.6 單縱模激光器的空間相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理論計(jì)算方法 43-45
2.7 本章小結(jié) 45-46
第3章 高階光柵單縱模半導(dǎo)體激光器制備 46-68
3.1 外延生長技術(shù) 46-47
3.2 光刻技術(shù) 47-52
3.3 刻蝕技術(shù) 52-61
3.3.1 干法刻蝕 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59
3.3.3 濕法腐蝕 59-61
3.4 薄膜生長技術(shù) 61-65
3.4.1 電絕緣膜生長技術(shù) 62
3.4.2 金屬電極生長技術(shù) 62-64
3.4.3 光學(xué)薄膜生長技術(shù) 64-65
3.5 高階光柵半導(dǎo)體激光器的制備 65-66
3.6 本章小結(jié) 66-68
第4章 高階光柵分布布拉格反射半導(dǎo)體激光器 68-94
4.1 高階光柵單縱模分布布拉格反射半導(dǎo)體激光器 68-81
4.1.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 68-76
4.1.2 器件制備 76-77
4.1.3 器件測(cè)量結(jié)果 77-81
4.2 雙波長高階光柵分布布拉格發(fā)射激光器 81-86
4.2.1 器件設(shè)計(jì) 81-83
4.2.2 器件制備 83-84
4.2.3 器件測(cè)量結(jié)果 84-86
4.3 高階光柵耦合半導(dǎo)體激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光譜分析技術(shù)原理 87-88
4.3.2 測(cè)試結(jié)果與分析 88-92
4.4 本章小結(jié) 92-94
第5章 高階光柵單縱模分布反饋半導(dǎo)體激光器 94-100
5.1 器件制備 94-96
5.2 器件測(cè)量結(jié)果 96-99
5.3 本章小結(jié) 99-100
第6章 單縱模半導(dǎo)體激光器件空間相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理論 101-103
6.1.2 測(cè)試結(jié)果 103-107
6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114
6.2.1 器件設(shè)計(jì) 107-110
6.2.2 器件制備 110
6.2.3 測(cè)試結(jié)果 110-114
6.3 本章小結(jié) 114-116
第7章 總結(jié)與展望 116-118
參考文獻(xiàn) 118-132
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