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U盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別
同樣是基于FLASH芯片存儲技術(shù)，U盤和固態(tài)硬盤有什么區(qū)別嗎？下面小編為大家介紹U盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別，歡迎閱讀。
第一，主控算法不一樣
固態(tài)硬盤采用的是一種特殊的算法，這個(gè)算法每個(gè)廠家都不一樣，而且是封裝在主控芯片里的。
通過這個(gè)算法，可以使數(shù)據(jù)平均分配到固態(tài)硬盤里的每片flash上，在提高速度的同時(shí)，也極大的延長了flash的壽命。更為高效的算法可以對數(shù)據(jù)進(jìn)行高速壓縮讀寫，尤其是讀取速度可以達(dá)到很高，更為高效的算法可能速度平平，但是卻能極大延長FALSH芯片的壽命，一般固態(tài)硬盤正常使用的話3-5年問答不大。
第二，壽命極大的延長
U盤故障頻發(fā)也是因?yàn)橐话鉛盤一般也就是一片F(xiàn)LASH芯片，多的兩片芯片，反復(fù)對一片芯片上相同存儲結(jié)構(gòu)單元會加速芯片的老化，而固態(tài)硬盤上芯片遠(yuǎn)不止一片，兩片，而是高達(dá)數(shù)十片芯片，通過主控的協(xié)調(diào)，將數(shù)據(jù)不同分?jǐn)偟讲煌酒M(jìn)行操作，平衡每一片芯片的使用量，無形中疊加了所有芯片的讀寫次數(shù)極大的延長了穩(wěn)定工作的時(shí)間。
第三，可以同時(shí)讀和寫
同時(shí)從硬盤拷貝一個(gè)文件到U盤和從U盤拷貝一個(gè)文件到硬盤上的速度，相對于你單獨(dú)拷貝文件到U盤或者硬盤的速度要慢很多，因?yàn)椋現(xiàn)LASH芯片相同的存儲單元結(jié)構(gòu)同一時(shí)間只能進(jìn)行讀或者寫這單一操作。FLASH讀寫數(shù)據(jù)是靠電壓的變化來完成的，讀要一個(gè)電壓，寫要一個(gè)電壓，不可能同時(shí)產(chǎn)生2種電壓的，但如果有很多芯片，數(shù)據(jù)是分散開來的那么對于一個(gè)芯片組合來說同時(shí)讀寫就是可能的。
補(bǔ)充：
U盤和固態(tài)硬盤結(jié)構(gòu)原理是一樣的，主控芯片+FLASH存儲芯片，但U盤的主控芯片屬于精簡版的。取消了sata控制器，但是保留有zif(ce)，esata，usb等移動設(shè)備通用的控制器。據(jù)說對于尋址能力也簡化了，目前最多只能做到8片F(xiàn)LASH芯片。而固態(tài)硬盤的主控芯片少則支持16片F(xiàn)LASH芯片，多則達(dá)到32片F(xiàn)LASH芯片，甚至更多。
另外相同品牌和系列的固態(tài)硬盤通常存在一種情況，容量越大，速度越快。因?yàn)槿缟衔模粔K主控芯片控制16或32片F(xiàn)LASH芯片進(jìn)行同時(shí)的讀寫操作，類似機(jī)械硬盤的陣列概念。
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