- 相關(guān)推薦
鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模擬分析
全部作者： 王偉 孫建平 顧寧 第1作者單位： 東南大學(xué) 論文摘要： 運用1種量子模型研究鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵隧穿電流，對柵電流中的3維電流成分用行波統(tǒng)1地計算熱發(fā)射電流、通過介質(zhì)勢壘的FN (Fowler- Nordheim) 隧穿電流，直接隧穿電流，帶間隧穿電流；對2維柵電流成分通過反型層勢阱中準(zhǔn)束縛態(tài)的隧穿率計算。運用該方法計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料和結(jié)構(gòu)的MOSFET柵極電流, 并進行了分析比較。研究了鉿基高k介質(zhì)中氮、鉿和鋁等元素含量及界面層對柵極電流的影響。結(jié)果顯示，為最大限度減少MOS器件的柵電流，需要優(yōu)化介質(zhì)中氮含量、鋁含量及界面層厚度。本模型能夠與實驗結(jié)果很好地吻合。 關(guān)鍵詞： 高k；柵電流；量子模型 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年06月06日 同行評議：
作者在已有自己研究工作的基礎(chǔ)上，發(fā)展了納米MOSFET柵隧穿電流模型。計算結(jié)果與實驗相1致，且文中給出的結(jié)果對發(fā)展鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵有指導(dǎo)意義。 下面問題請作者考慮： （1）作者單位：Southest University，書寫有誤，改為Southeast University （2）中文摘要：“……計算了各種鉿基高k介質(zhì)材料…..”中“各種”建議改為“多種”。 （3）Fig. 2 圖題中，Data of crystallization temperature are from [1]（上標(biāo)）. 文獻[1]的標(biāo)注不應(yīng)是上標(biāo)，應(yīng)為“from [1]”，其余同。 （4）Fig. 3(a) 中標(biāo)了5種情況，實際有6根曲線。 （5）Fig. 5 下面的正文文字（1，2行）字號大小不1樣大。
綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。【鉿基高k柵介質(zhì)納米MOSFET柵電流模擬分析】相關(guān)文章：
超薄HfO2高K柵介質(zhì)中電場依賴的時變擊穿（TDDB）特性11-22
基于MOSFET內(nèi)阻的電流采樣及相電流重構(gòu)方法10-30
閃存存儲器的浮柵耦合電位研究03-07
纖維基納米結(jié)構(gòu)材料的界面性能研究03-07
MOSFET重離子源漏穿通效應(yīng)的二維數(shù)值模擬03-07
納米材料在化工行業(yè)中的應(yīng)用分析03-18
納米碳酸鈣硬模板下瀝青基炭材料的制備研究11-19